作者ohya74921 (加百利)
看板Electronics
标题Re: [问题] HSPICE分析问题
时间Tue Nov 3 18:33:35 2009
偷偷再问一下
若VGD > VT & VGS > VT 的时候MOS是在TRI. REGION
而通道长度调变效应是定义在饱和区...
所以在tri. region的ro应该是0
所以画出来的图理论上前面会有一段曲线是在零罗？
※ 引述《ohya74921 (加百利)》之铭言：
: 若我要看单颗电晶体的 Intrinsic Gain as a function of VDS
: 可以这样去写吗？
: ******* Source *******
: VDS 1 GND DC +1.8V
: VGS 2 GND DC +1.2V
: V3 3 GND DC 0V
: ******* MOSFETs *******
: M1 1 2 GND 3 N_18 L=0.5u W=50u
: ******* Analysis ********
: .lib 'cic018.l' tt
: .PROBE gain = par('lx7(M1)*lx6(M1)')
: .DC VDS 0V 1.8V 10mV
: .END
: 模拟会过，可是不会出现 para 那个参数...
: 请问是哪里有问题啊 @@"
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