作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: [问题] 请问各个制程中的VDD
时间Tue Oct 27 18:06:16 2009
※ 引述《wwwok (勇敢的坚持下去)》之铭言:
: 想请问一下各位
: 像是T公司的.35有提供两种最高电压(3.3V AND 5V)
: .18也有两种电压可以选择
: 之前就曾经错用SPICE描述元件的语法
: 造成电路发生问题
: 那麽请问这个VDD造成的影响会有哪些呢?
: 使用上又应该根据什麽来当作依据呢?
: 我目前能想到的大概就是功率消耗吧
: 谢谢各位了
它跟功率消耗是没有很大的关联。
3.3V与5V,就选择性而言,还蛮少的,这应该是属於逻辑制程。(??)
其实,这些电压的选择是考虑到内部电路中,元件的使用用途。
3.3V与5V的差异,其实不大,顶多闸氧化层(Gate oxide)稍微厚一点点。
好比一些CMOS或TTL逻辑闸,是用Vdd=5V来当作是电源供应,而其他则是使用3.3V。
不过,有些产品,则会用到更高电压的元件,此时,就不止有单单两种电压
可供选择。举个例,假设3.3V制程中,MOS名称叫N3(NMOS)与P3(PMOS),在5V就叫
N5与P5,而在10V就叫做N10与P10。当然啦,10V的制程会函盖5V与3.3V的所有元件。
像记忆体电路内,好比HV Switch,输入/出的电压可能到10V,所以我们要用的N10/P10,
在解码电路,因为是逻辑运算,也许用的是N3/P3,而在Sensing Amplifier中,因为有
一些Read的动作,会用到N5/P5....,诸如之类。
另外,考虑到电路布局(Layout),如果你的电路纯粹是纯逻辑的话,那就用3.3V的制程
来画电路布局就可以了,不然用5V的制程来画,有些元件在design rule上,space呀
width, length,...可能得必须放的比较宽松一点,这会增加电路面积。
若是混模电路,那就用5V的制程(或是更高压的制程,因为在类比电路上,好比电压倍增
电路,每级的输出如果用3.3V的元件,就会造成breakdown,电压会无法增加。)
你必须先知道你自己设计的电路中,哪些元件有可能会输入/输出的最高电压是几伏,
然後选择该适合的制程。
再举个例,假如你的电路有负压,那就必须有triple-well制程的元件才行;
又或是ESD的部份,放在I/O端的ESD元件也并没有强制要用高压的制程,因为你必须
考虑到slew rate...。
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在台湾,何谓R&D工程师?
1.Reverse and Decap :IC反相工程,去胶,打开封装,拍照,复制电路布局。
2.Resign and Die :没死的就操到辞职,没辞职的就操到死。
3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化,变化永远跟不上老板的一句话!
4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax),那麽就会Random Death (随时阵亡)
但是外派到大陆的台弯郎,晚上是R (鸭)陪客户,白天是D (猪)任人宰割!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12
1F:→ pdaer:j大发的文都蛮不错的 10/27 20:10
2F:推 Trai:好文! 10/27 22:56
3F:推 smallmac:最後一段slew rate的考虑是什麽意思阿...是指高压造成 10/28 03:06
4F:→ smallmac:造成design的slew rate变快吗...这段有点不懂.... 10/28 03:06
5F:→ smallmac:谢谢j大喔..... 10/28 03:07
6F:→ smallmac:还是高压device的thick oxide变厚-电容变大-速度变慢吗.. 10/28 03:09
7F:→ jfsu:厚oxide,电容会比较大,输出的slew rate会受影响。 10/28 11:31
8F:→ jfsu:但你又不得不考虑ESD... 10/28 11:31
9F:推 wwwok:感谢J大的解说 每次都很详细 真是太棒了 10/28 12:59