作者eced (好酷捏～)
看板Electronics
标题Re: [请益] 非对称MOS的使用
时间Wed Oct 7 11:51:26 2009
※ 引述《Chanchuan (生活要多点变化)》之铭言：
: 最近有看到一些电路是使用非对称MOS
: 有点搞不太懂跟HV MOS的差别
: 非对称在结构上跟HV有什麽显着的不同
: 就电路而言, 是何时要使用非对称
: 使用非对称又有何优缺点
: 知道的高手解释一下吧
: 谢谢
你讲的对称 非对称应该都是HV MOS吧
一般来讲高压应该是用非对称MOS居多,
主要是layout SIZE比对称来的小,省面积
通常电路使用上非对称的source-body都会接在一块,等电位
会用到对称主要是因为 MOS的 source-body可能会见到高压的考量
另外就是driving能力的差别.对称的Vth一般会较非对称低
至於结构上的差别,如其名..
非对称就是drain和gate间加了lightly doping来降低电场 (LDD or DDD...)
对称就是source 和 drain都加了..
找个高压的design rule应该都会有剖面图可以参考
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