作者TripleC ( 沈默...是真神 )
看板Electronics
标题Re: 请教DRAM读出动作(2)
时间Sat Sep 19 09:45:10 2009
我想他说的是读取的那一瞬间会不会消失
破坏式读取资料确实会"暂时"消失
※ 引述《deathcustom ()》之铭言：
: ※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言：
: : 关於如图所示之动态随机存取记忆元（DRAM cell）之叙述，何者错误？
: : A猨写入时电晶体导通
: : B獏读取後储存资料即消失
: : C獱当电源移除後，储存资料即消失
: : D斅电容大小不影响读取讯号
: : ans:D
: : 再请问一次会不会消失～"～,
: : 有点浪费版上资源问两次
: : 电容大小如何影响读取信号？
: 简单奖就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作
: 对SRAM、DRAM都差不多
: 读取完的时候都会把原来的资料重新写回去
: 所以读完资料不会消失
: 然而如果储存资料的电容太小
: 则读取时分到Cb上面的电压变化会太小
: 读取的时间跟这个变化的大小有关(Vout = V' exp(t/T) 这类的关系，详细请看Smith)
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 24.6.16.11
1F：→ kurama1984:好玄的讲法，不是很懂 09/19 19:58
2F：→ kurama1984:你说的暂时消失好像是有这个东西，但我的书都没写清楚 09/19 20:04
3F：→ kurama1984:只说读完感应器会为CS更新，这个时间点算资料消失是吧 09/19 20:06