作者deathcustom ()
看板Electronics
标题Re: 请教DRAM读出动作(2)
时间Sat Sep 19 00:03:00 2009
※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言：
: ※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言：
: : 请问ＤＲＡＭ读取动作会和ＳＲＡＭ一样,
: : 读取後资料即消失吗？
: 关於如图所示之动态随机存取记忆元（DRAM cell）之叙述，何者错误？
: A猨写入时电晶体导通
: B獏读取後储存资料即消失
: C獱当电源移除後，储存资料即消失
: D斅电容大小不影响读取讯号
: ans:D
: 再请问一次会不会消失～"～,
: 有点浪费版上资源问两次
: 电容大小如何影响读取信号？
简单奖就是Sense Amplifier Reading Circuits的操作
对SRAM、DRAM都差不多
读取完的时候都会把原来的资料重新写回去
所以读完资料不会消失
然而如果储存资料的电容太小
则读取时分到Cb上面的电压变化会太小
读取的时间跟这个变化的大小有关(Vout = V' exp(t/T) 这类的关系，详细请看Smith)
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为什麽那边那个人那麽伤心呢? ││││││
因为他是北部人啊，吃的比我们还毒哩! 2.5ppm ˍ︵ │││ 还好我们
0.5ppm
◥ ◥ 2ppm ╱ ╱▏ ││ 不用吃…
◤ ◥ ◤ ◥ │￣▏ ˍ 0ppm
| | | ╱ ╱ ﹨
◥◢ ￣ （||） ω ╯ ㄦ
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