作者Lary (PTTuser)
看板Electronics
标题Re: [问题] 有关尔利效应的选择题
时间Tue Sep 15 00:06:36 2009
※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言：
: MOSFET 中厄利效应（Early Effect）最主要之成因为何？
: A.基板和闸极之间的p-n 接面 B.闸极和源极之间空乏区互相影响
: C.通道长度因为闸极和汲极的逆偏而影响 D.崩溃效应
: ans:c
: 查了资料都没讲到闸极和汲极的影响，请问C的答案是怎麽影响的？
BJT一般都操作在
base-emitter顺偏
base-collector逆偏
假设今天没有Early effect
collector current与Vce应该是无关的
但是当Vce变大(collector对base逆偏越大)时
collector-base的depletion region会随逆偏电压变大
(怎麽算有点小复杂 请看大施敏或小施敏)
这时collector到emitter之间的距离就变小了
因为minority carrier的浓度不变
minority carrier life time也不变
但是diffucion length变短了
所以电流就变大了
这就是Early effect
有点像是MOSFET里的short channel effect
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.195.37.160
1F：→ Lary:突然知道你为什麽查不到了 因为Early effect是BJT的不是MOS 09/15 00:09
2F：→ Lary:竟然打完这麽多字才发现... 09/15 00:10
3F：推 deathcustom:不是short channel effect, 是channel length modulat 09/15 00:28
4F：推 deathcustom:sce指的是说随着L变小，Vth也会在某个长度後开始变小 09/15 00:30
5F：推 edpan:应该是通道长度调变效应 只是结果跟EARLY EFFECT很像 09/15 01:21
6F：→ edpan:因为以NMOS为例 如果你将他设定在sat.也就是说V>Vt 当Vt越大 09/15 01:22
7F：→ edpan:它实际上产生的channel length会越短 09/15 01:23
8F：→ edpan:我好像讲错了~"~...应该说V>Vt後就会产生一条通道 此时你再 09/15 01:25
9F：→ edpan:将Vd慢慢增加 那channel length会越来越短 那Id就会渐增 09/15 01:27
10F：推 jamtu:结果跟early effect其实一样，都是model成线性 09/15 02:47