※ 引述《bmwfisher (大肠直长长)》之铭言： : 各位好~想请问各位专有名词 这样翻是否正确 以及资讯是否正确~谢谢 : 以下是科展的主题~请各位帮忙~谢谢 : -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (国立清华大学/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻为：了解 元素"锗"与第V-III族元素之MOSFET运用於Si CMOS制程 : 解释为：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半场效电晶体)来用在积体电路制程上 : 问题： : 1.为什麽III-V要反过来写? : 2.CMOS前面为何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圆? : 3.MOSFET是算是一种方法? 而CMOS是一种完整制程? realization: 实现 beyond: 在...之後 实现Ge及三五族元素之MOS制程（这个东西比SI CMOS更先进） MOSFET: Metal-Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor 金氧半场效电晶体 主要是指他的结构及导通操作方式 CMOS: Complementary MOSFET 由PMOS、NMOS完整组成的电路 Si-CMOS仍然是现在数位电路主要的设计法 （虽然早已经出现了Pseudo-跟Domino等等高速的设计法） : 2.刘致为教授 (国立台湾大学/电子工程学研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：高流动性之技术与其物理特性 : 解释为：查了这位教授的研究领域 : {应变矽／high K／金属闸．积体SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光电元件．MOS可靠度．SOI技术 : 问题： : 1.什麽流动性技术?是说电子间的流动? Mobility: 指的是 I = 0.5 U*Cox(W/L)Vov^2 里面那个U 其实是可以看成导电程度，也就是下面那个介电系数 : 3.徐嘉鸿副研究员 (国家同步辐射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：奈米级厚度的高介电材料之结构特性对半导体的影响 : 解译为：就是要探讨奈米厚度的半导体介电材料 : 问题： : 1.Grown on是翻成影响还是磊晶呢? 後者 : 2.Nani-thick应该是指厚度吧~或是其他意思? Nano-Thick/Thickness 指的就是薄的Silicon Dioxide 也就是Gate 厚度是几个到几十个原子，只有不到10nm的厚度（甚至更少） : 3.所以这材料如果以厚度来说，它是粒子or膜or? : 4.谢光宇 处长 (旺宏电子股份有限公司奈米科技研发中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：挑战并创新非挥发性记忆体 : 解释为：旺宏是一家半导体商，所以要展示新型非挥发记忆体 : 问题： : 非挥发性记忆体(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断，记忆体所储存的资料 : 并不会消失，重新供电後，就能够读取内存资料的记忆体 : 1.快闪随身碟就是此类型，想问的是一般桌机用的DDR-RAM : 是(volatile)类的，不是(Non-volatile)没错吧?-- : 2.目前non-volatile多用於MP3随身听，FLASH记忆体等随身携带之产品是吗? 很多东西都会用到NVM 当然你说的那些也是 : 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构 : 问题： : 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope) : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? 100应该指的是磊晶型态 更明确的说就是平行yz-plane作切片（我应该没记错～～～吧？） : 3.这可能是材料的问题，物理系也有做这一类研究的主要研究导向是? 物理系、材料系、化学系、化工系、电机系、电子系都有机会作这类研究 : 6.黄懋霖博士 (国立清华大学/材料科学工程学系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻为：原子层沉积(磊晶)於高相对介电系数之InGaAs(铟镓砷?)上做为保护层 : OR : 在InGaAs上沉积高介电材料原子层以做保护层(表面钝化) : 问题： : 1.InGaAs是指元素还是这是一个专有名词? 指的是由这三种元素组成的特殊材料 : 2.high k也是高介电材料的意思? Yes -- 为什麽那边那个人那麽伤心呢? ││││││ 因为他是北部人啊，吃的比我们还毒哩! 2.5ppm ˍ︵ │││ 还好我们 0.5ppm ◥ ◥ 2ppm ╱ ╱▏ ││ 不用吃… ◤ ◥ ◤ ◥ │￣▏ ˍ 0ppm | | | ╱ ╱ ﹨ ◥◢ ￣ （||） ω ╯ ㄦ --

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