作者Shiva (Shiva)
看板Electronics
标题[问题] post-simulation的performance应该掉很多吗？
时间Wed Sep 9 21:23:41 2009
小弟最近练习做一颗简单的two stage OP(就是smith电子学第九章一开始讲的那种类型)
把design的流程跑一遍
画完layout，drc、lvs也都通过了，pex( R+C+CC )抓完後跑post-simulation
发现一件很奇怪的事..
post-simulation的performance竟然和pre-simulation只差一点点而已...
5个corner都是如此，真的只有差"一点点"而已 @@
dc gain完全没掉，3db-frequency反而上升了0.00x kHz左右
而phase margin只掉了 0.0xx度
因为第一次画layout，想说应该performance会很惨
(听说RF MOS里pcell的画法比较好，所以我layout时是参考RF的方法很仔细的画，
但再怎麽说也不敢预期performance会只差一点点)
现在看到这结果，实在很无言，但我是照着流程在跑，应该步骤没做错...
请问这样看来，是不是我在pex或post-simulation有做错的可能性很大呢？
好迷惘 Q_Q
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◆ From: 140.113.169.180
1F：推 ilovecatch:负载挂多少 09/09 21:57
2F：→ Shiva:pre-sim和post-sim都是挂10pF 09/09 22:59
3F：推 kk123:check 一下包含寄生电容寄生电阻的档案，看一下单位有没有错 09/09 23:06
4F：→ kk123:我遇过寄生电容抽出来後，多乘一个 f(10^-15) 09/09 23:06
5F：→ Lary:我的经验是RF ckt比较会差很多 op频率很低 寄生电容影响不大 09/09 23:51
6F：→ Shiva:k大指的是什麽档案呢？我看pex产生的一个schematic档内的寄 09/10 00:38
7F：→ Shiva:生电容大多是a(10^-18)；寄生电阻大多是m(10^-3) 09/10 00:40
8F：→ Shiva:要怎麽知道是否有 "多乘一个 f(10^-15)" 呢？ 09/10 00:40
9F：→ Shiva:我设计出来的整个电路3dB频率只有数kHz而已 09/10 00:41
10F：→ Shiva:我是用TSMC .18里的baseband MOS，但仿照RF MOS的layout法， 09/10 00:42
11F：→ Shiva:这样真的会使寄生效应影响很小吗？ 09/10 00:43
12F：推 cty:数kHz应该影响不大 09/10 09:50
13F：推 juc:这的确要看你OP的频宽而定 09/10 11:17
14F：→ Lary:你把寄生电容带到1/(sC)里算一下 比op阻抗大很多的话就没影响 09/10 17:41
15F：推 erfdcn:如果模块很小的﹐差别应该很小的。寄生电容一般fF级别 09/10 21:17
16F：推 juc:应该要说你的寄生电容造成的pole和你的dominant pole的级别 09/10 22:56
17F：→ juc:10p算是很大的负载了 你的寄生效应要造成comparable的pole不易 09/10 22:58
18F：→ juc:又Rout*(CL+Cp_out)如果跟Rout*(CL)相距不大 频宽也不会差太多 09/10 23:01
19F：→ lovelupo:你design的bandwidth操作很低频，所以也难看出差异. 09/10 23:09
20F：→ Shiva:感谢各位解答，也许我下次做高频一点试看看 09/12 19:24
21F：→ Shiva:但是考虑寄生效应後，3dB频率反而增加了，这是有可能的吗？ 09/12 19:24