作者htbroken (htbroken)
看板Electronics
标题[问题] 请问ESD问题
时间Fri Aug 21 00:35:08 2009
请教各位先进
一般的 ESD 保护电路在 寄生 BJT 瞬间 turn on 时
为何 drain 电压会下降 (snap back ) ??
而为何 PMOS比较不会有 snap back 的现象 ??
以上困惑 , 谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.110.160.13
1F：推 bakerly:据我同事的说法，1: 寄生的bjt把电压clamp住的关系, 2: 因 08/24 19:52
2F：→ bakerly:为pmos的snap back的电压比break down的电压还高，所以在 08/24 19:53
3F：→ bakerly:snap back发生之前就先break down掉了，所以看不到。 08/24 19:54