作者windstartfly (start)
站内Electronics
标题[问题] MOS的模拟
时间Sun Aug 16 20:33:51 2009
最近在做单个MOS的模拟,遇上了一个问题,下面是我的SP档
A:
.protect
.lib 'rf018.l' tt
.unprotect
.temp 25
.global vdd vss
vvdd vdd 0 dc 0.9v
vvss vss 0 dc -0.9v
︿︿︿︿︿
mm1 vdd g vss vss nch w=1u l=1u
vg g vss dc 0 ac 1
︿︿
.ac dec 100 0.1 10ghz
.end
---------------------------------------------
B:
.protect
.lib 'rf018.l' tt
.unprotect
.temp 25
.global vdd vss
vvdd vdd 0 dc 1.8v
vvss vss 0 dc 0v
︿︿︿︿
mm1 vdd g vss vss nch w=1u l=1u
vg g vss dc 0.9 ac 1
︿︿︿
.ac dec 100 0.1 10ghz
.end
----------------------------------------------
想请问一下板上的各位
我模拟出来的结果A会Cutoff,B则是在saturation
NMOS要Saturation的话,不是VDS≧VGS-Vt就可以吗?
可是上面两个档不同在输入电压一个是由-0.9v到0.9v,另一个是0到1.8v
这样不是只是改变准位而已吗?
为什麽工作区会改变呢?
我用PMOS模拟的话,则AB都会在Saturation
是我有哪里没有考虑到吗?
麻烦请大家帮我解惑,谢谢!!
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 58.99.78.152
1F:→ Mauder:问题出在case A中vg的设定 它的负端应该要接到global的地 08/16 22:15
2F:→ Mauder:而不是接到vss 因为case A中的vss不是0v 而是-0.9v 08/16 22:16
3F:→ Mauder:所以把vg的负端改成0就可以了 不要接到vss 08/16 22:17