在这篇刚好爬到这个gm/Id法， 最近看一些paper都有提到，我也去国外的论坛类似 ptt这种电子电机专版爬了文，发现这是一个国外大学 很popular的op设计法则，在berkley的ee240的AIC课程上 就是以此法作为设计标准方法， 於是我又找到一些线索，有个名字叫Jespers的， 发了好几篇paper在讲这个东西，也打算出一本书专讲这个方法， amazon可以pre-order： http://ppt.cc/8SPP 我把他的powepoint丢上来给大家参考： http://rapidshare.com/files/266790018/CMOS_Op.Amps.rar.html http://www.megaupload.com/?d=9F2S3UYC 以上二选一下载即可， 直接看part III里面有gm/id concepts introduction. 这部分是比较没版权争议的东西（原作自己放出来的，非营利） 希望电子电机版神人众多可以在基本的op设计方法上激出一些讨论 ※ 引述《jnlien (*大胖几*)》之铭言： : ※ 引述《afor (头号敌人就是afor)》之铭言： : : 请问一下 : : 之前都是用估算出KP(trans-conductance) : : 也就是Cox*Uo的值 : : 但都觉得不太准 : : 那可以在.35或.18的library档找到吗? : : 因为用KP去找都找不到,还是它有别的参数名? : : 谢谢回答 : 在submicron以後的制程中会有short channel effect， : 像是velocity saturation等等(可参考Razavi的AIC)， : 因此unCox或是upCox其实不是一个常数(在不同偏压条件下会有变化)。 : 一般的作法是针对各种状况去跑simulation， : 然後做curve fitting找到最佳的unCox或upCox值， : 这样做出来的设计第一次跑模拟 当然会有些不准(跟预期值差10%~30%)， : 但是通常足以让电路中重要的电晶体都进入saturation region， : 一旦进入saturation region後就比较容易藉由调整size来达到想要的值， : 因此知道如何调整size来达到想要的偏压、gm、电流等等是很重要的， : 这就是经验的可贵了~ : 如果真的觉得这样设计电路很没成就感(做出来都跟算出来的差很多)， : 可以去找一种叫做gm/Id Method的查表法， : 算出来的size直接跑模拟 误差跟预期值通常不会超过10%， : 举例来说， : 这样的方法在Op amp的设计上是很实用的。 --

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