※ 引述《kurama1984 (断颜残臂)》之铭言： : 顺向电流下，一锗二极体在75度c时，其rd=3Ω，问电流不变下， : 温度上升至133度c时，rd=? : ans:3.5Ω : 问套什麽公式来算?可以写过程更好。 首先在某温度T(绝对温度)时，考虑一P-N接面的电流: iD≒Is[Exp(vD/ηVt)-1]，其中η为ideality factor，理想因子，其值介於1~2。 Vt = kT/q, k = 波兹曼常数 (上述公式均可在电子学中查得到，因BBS无法打下标字，请自行参考书本公式) 1. 当加在二极体的电压很小时，即V<VT ，电流几乎为定值。 当电压超过某定值Vγ(切入电压cutinvoltage)後，电流才会开始迅速增加。 (锗的Vγ 约为 0.2 V, 矽的Vγ 约为 0.6V。) 2. 当加在二极体的电压很大时，即 V>>VT 後，指数项 後面减 1 的部份可以忽略， 两边取log後，则 log iD = log Is + vD/(ηVT ) 即，二极体的电压与电流比值会随着电流变动而变化。 可得R ≡ V/I，也就是静电组 static resistor 。 若定义 动电阻(dynamic resistor) r ≡ dV/dI ，则将上式微分可得 ( 1/r ) = (iD + Is )/ (ηVT)........公式1 当 V>>VT 时， r ～ ηVT /I ，也就是动电阻与电流成反比。 本题为在顺向电流下，一锗二极体在75度c时，其rd=3Ω，问电流不变下， 温度上升至133度c 依公式r与温度成正比 : 3/r = (75+273)/(133+273) r = 3.5 Ω -- 对流血一周仍然不死的生物千万不能大意……。 --

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