各位大大好.. 小弟有一个模拟上的问题....我用spice模拟mos cap 也就是Cgs Cgd Cgg...等... 但是我发现一个很奇怪的问题...我尝试模拟了TSMC 0.13um 90nm 65nm三种制程... 但是却发现模拟的电容值有出入.... 首先是0.13um模拟，这个完全没问题.... 以NMOS CGD为例 .print ncgd = par('cgdbo(mn)')可以列出电容值... 然後给定MOS所要的偏压值在输出的lis档里面会跑出下面电容值.... cdtot 3.3856f 3.3902f cgtot 14.5785f 14.3782f cstot 15.1810f 14.5780f cbtot 5.8524f 6.1752f cgs 13.3900f 12.4011f cgd 1.3387f 1.5331f 这会和你用.print列出来的电容值如果是CGD的话会相同.....TSMC 0.13um的情况下... 但是同样的模拟档案...如果我换成90nm or 65nm的话.... 使用.print所列出来的电容Cgtot or Cgd和在lis里面的... 就都会不一样...而且还差很多Cgd可能只有0.1f左右... 但是lis档案列出来的cgd却是1.3387f.......0.18um我也尝试过也不会有这个问题... 目前TSMC 90nm and 65nm都会有这个情形产生.... 有人知道为什麽的吗? 还是要额外再.option上面多下什麽指令呢? 麻烦大家了.... 以上，感谢。 --

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