作者vmaxticofat (我爸抓了一只鸽子给我)
看板Electronics
标题[问题] MOS subthreshold region
时间Thu Jun 11 23:13:37 2009
大家好
小弟在设计电路时，MOS 因为size比较大进到了Subthreshold region，
想请问这区的model 准吗? 或是说我的电路操作在这区实际下线可行吗?
电路是source follower 当buffer使用，要个大gm
烦请高手指点
谢谢!~
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◆ From: 59.112.208.159
1F：推 jamtu:有人电路会故意操作在这一区吗XD 06/11 23:45
2F：推 bighead319:次临界区，操作速度要非常慢吧，应用目标在？ 06/11 23:53
3F：→ vmaxticofat:工作频率大约在100M左右 06/12 00:04
4F：→ vmaxticofat:我也不想在这区押~可是buffer size大，很容易就进去了 06/12 00:06
5F：推 windboy0620:准度一定比turn on区不准，因为他的电流是跨了好几个 06/12 07:20
6F：→ windboy0620:order的，想也知道不可能完全match... 还要看你MOS是 06/12 07:20
7F：→ windboy0620:哪一种材料 06/12 07:21
8F：→ windboy0620:Silicon算比较准一点的... 如果是TFT准确度可能更差 06/12 07:22
9F：→ ery001:说点题外话,有些low power设计的确是会特别去用 06/13 00:47
10F：→ ery001:subthreshold region 06/13 00:47
11F：推 kafai:比如dc offset cancellation 要大gm 但频宽很小，subth.reg 06/13 09:18
12F：→ kafai:就会省POWER 06/13 09:18
14F：→ sneak: //daxiv.com 01/04 21:57