: 1. cell size 44F^2代表的什麽意思 是指cell的面积吗? F是一种单位吗? : 2.cell size 0.64*0.56 um^2 =44F^2 这是怎麽换算出来的? : 3.The TEOS liner becomes U-shaped tunnel oxide to surround the nitride plug : as the charges at the two corners of the nitride plug. 想请问一下这是句话 : 是在说明什麽? 是不是说 TEOS liner这个材质变成U形状围绕氮化矽堵塞物， 电荷 : 穿透氧化层然後在氮化矽堵塞物两个角落旁储存。是这个意思吗? : 我是刚进入半导体这领域的新手 很多不懂 : 希望能请版上高手多多指导 : 谢谢 1. F不是科学记号，那是用在记忆体上来描述元件的尺寸。 F是 Feature size, F的缩写。 中文的意思是，〔特徵尺寸〕，定义为DRAM的一半线宽(half pitch)。 ps.举个例子，我们常说的90/65/45/32奈米制程，这些指的是 制程世代/节点(technology generation/node。) 对逻辑产品而言，指的是电路布局上的闸极宽度(gate length) 对DRAM产品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width) 对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离 而〔F〕，指的是（或小於）该制程世代的尺寸。 以你的例子，就一个90nm制程而言(F = 90nm = 0.09um) 44F^2　＝　44 x 0.09 x 0.09 = 0.64 * 0.56 um^2 0.64与0.56指的是memory cell的X,Y尺寸(你可以把它想像是一个长方形一样。) 如果是65nm制程(若元件的尺寸不变0.64与0.56)，那就是84F^2。 (一般而言，不会是0.64um与0.56um，而且也不会是84F^2) (应该说要反推回去求XY的最小尺寸才对，毕竟65nm比90nm，尺寸要更小才对。) 3.这好像跟SONOS有关，讲的是电荷存在tunnel oxide的两边，一种2bit/cell的元件架构 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台弯郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

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