作者jfsu (die)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於制程的问题
时间Thu Apr 30 01:25:40 2009
※ 引述《wwwok (勇敢的坚持下去)》之铭言：
: 希望这个问题不要太蠢
: 想请问一下板上各位大大
: 以TSMC所提供的制程来说
: 0.35和0.18两者差在哪里?
: 当然 在相同的面积0.18可以做下更多的电晶体
: 我比较想要知道 这对电路来说 有啥比较大着助益吗
: 例如设计放大器好了 更小的制程会使op获得更高的增益或是相位吗？
: 那假设我在0.35和0.18的制程底下都采用相同的W/L去设计op
: 这样做出来的op会有差别吗？
: 谢谢各位罗~~
0.35um与0.18um真的有差别是在於逻辑产品的部份，虽然成本增加，但因良率提升
所赚得到钱是远大於成本。
类比部份，由於尺寸缩小，PMOS与NMOS的gm,Idsat与Vth可能会有变化，
在设计时，更要注意W/L的选用，不建议用跟0.35um一样的长宽。
另外，op内部的那几颗电晶体更需要注意matching的问题。
0.35um的制程或许不用考虑，但0.18um最好留心一下，
1.周围加一下dummy电晶体，避免因制程因素让特性(performance)变差。
2.layout在画的时候，MOS不要太靠近well，以免有WPE(well proximity effect)效应，
也要注意一下LOD(length of diffusion)
其他电容或电阻的部份，阻值与容值最好重新计算过一遍，会比较保险。
power bus也是一样不要随便拉一拉，该粗的地方就不要细，该打contact/VIA的部份
就不要省。
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对流血一周仍然不死的生物千万不能大意……。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.64.148.89
1F：推 Gocoba:很实用...推荐! 04/30 05:07
2F：推 pow:.35的Rout是不是大很多 我意思是说要把FET弄成电阻 04/30 06:03
3F：推 deathcustom:我跑一下看在同样L跟电流下的Rout再跟你们说吧 04/30 06:06
4F：推 deathcustom:刚好手边有.35 .18 .13 .09的制程档QQ 04/30 06:07
5F：推 pow:我之前好像有比过.5和.18的 好像是weak inversion resistor 04/30 08:15
6F：推 wwwok:多谢各位提供的资料和意见 谢谢大家 04/30 10:44