作者pizehow (昡)
看板Electronics
标题[问题] 关於MOS的耐压问题
时间Mon Mar 23 18:10:50 2009
我想请问关於在TSMC 0.18制程下
其3.3V MOS的耐压是多少伏特
我查询相关的技术文件
其中diode geometric junction model里
P+/Nwell以及N+/Pwell的bias range为-12~1.5V
这是否意味着只要我加在diffusion上的电压只要不超过12服就不会对MOS造成影响?
是否有任何相关文件能查到MOS的耐压参数呢
WAT or PCM?
这两个是啥东东
感谢~
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◆ From: 140.117.164.197
1F：推 kkooff:Wafer Acceptance Test Process Control Monitor 03/24 23:53