作者cp291222 (伤心)
看板Electronics
标题[问题] MOSFET的问题
时间Mon Mar 23 18:00:12 2009
这个问题一直困扰我很久(可能是很简单的观念)
就是MOSFET(以NMOS为例)在饱和区时,因为考虑到D端的 n+ 和p-sub
音问逆偏而会在接面产生空乏区,会使通道长度缩短,好像称pinch off
所以电流会增大,这个叫通道长度调变效应吧!那我的问题是:既然靠近D端的通道
已经pinch off 为什麽还会有电子可以通过? 而且是比没有通道调变还要大!
麻烦高手解答!谢谢~
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◆ From: 163.25.118.140
1F：推 sean456:因为D极的空乏区的内建电场会变大把通道中的载子扫入D极 03/23 18:44
2F：→ cp291222:谢啦~了解 03/23 20:13