作者bb7 (没有昵称)
看板Electronics
标题Re: [问题] 2stage的op放大器问题?
时间Sun Mar 1 01:38:33 2009
※ 引述《pinns (NEW JOB)》之铭言：
: 有个问题想问,op的抗杂讯能力.
: 譬如 2 stage简单的OP书上那种.
: 有n type 与p type
: 想问哪个杂讯可以比较低?
: 都在同样制程与条件下,是否有差异?
: 是n or p type, why?
如果输入端是pmos differential pair,则对於flicker noise抵抗较佳
相反的如果是nmos differential pair,则是对thermal noise抵抗较佳
但还是需要全盘考量,例如cgs也是重点考量之一
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.114.207.113
1F：推 pinns:感谢..我也回去翻了..flicker noise频谱分布取log之後 03/01 08:32
2F：→ pinns:确实是pmos优於nmos.. 03/01 08:32
3F：推 Williamette:pmos的另一个好处是可以放在独立的well里 也比较乾净 03/01 15:16
4F：→ Williamette:但是nmos的gm大於pmos 等效的input-referred thermal 03/01 15:18
5F：→ Williamette:noise较小 03/01 15:18
6F：推 transntu:应该要考量到我们采用的频率，如果是重视的是低频noise 03/01 15:33
7F：→ transntu:则采用PMOS比较好，如果不是用在低频，或许用NMOS比较好 03/01 15:34
8F：→ transntu:曾在paper上看过，输入及采用BJT，低频NOISE会变得超小。 03/01 15:35
9F：推 pinns:不过也跟输入电压有关系的样子,输入电压比较低的话用pmos.. 03/01 17:41
10F：→ akiottm:输入低电压用PMOS是考量差动对中的ICMR范围,跟杂讯无关 03/02 11:57
11F：→ pinns:感谢楼上回答,不过我以前只注意到ICMR的问题没考虑到p&n杂讯 03/03 18:41
12F：→ pinns:的问题. 03/03 18:41