※ 引述《yourhusband (闷)》之铭言： : ※ 引述《twyesman (加持良治)》之铭言： : : 请问除了layout外,还有什麽方法可以降低产生的杂讯呢 : 我想你首先要先分清楚你说的杂讯是哪边的杂讯 : 如果是因为开关硬切产生的Vds震荡，导致Vgs有小突波 : 那加snubber才可能有一点用途 : : 震荡会因为杂讯产生谐振,变成输出不稳定 : 我想你输出电压稳不稳定是跟你回授补偿器的设计比较有关系 : : RCD电路不晓得是不是我电阻电容值选错 : : 好像没什麽效果,请问这有选择的公式吗 : 这书上都有，请自行参阅。 : : (输出24V/1A) : 不知道阁下的开关操作频率是多少kHz? : : mosfet的D-S加小电容,会造成无效损耗 : : mosfe发烫 : 事实上这个观念有问题，事实上如果Mos的Coss小 : 在以Buck为例，Mos turn off的瞬间(先不考虑飞轮二极体的非理想特性) : Coss上跨压立刻会由0转为Vin，事实上这种突发电压将会与线路的漏电杆与Coss共振 : 这才是Vds会有spike的原因，固事实上Coss大一点是会让你的Mos截止损失减少 : 最理想的开关状态为 ZVS turn on，而turn off则希望Vds建立电压缓慢 : 但是相对於Mos的turn导通损耗则会增加，因为增加额外的电容放电电流 : 但对於半导体材料而言，这增加的放电电流不要超过额定耐流就可以了 : Rds on的值通常都很小，不大会有多大损耗 : 真正造成损失的大半都是switching loss : : IC直接控制mosfet G闸不会有这种温度上升的情况 : : 但是会有谐振的问题..控制变不确实 : : Rg电阻加大降低Td,效果不错 : : 还不至於烫,不过mosfet温度也是会上升 : 看你这样描述应该就是硬切，Rg加大会让你驱动Mos电流变小 : 相对米勒平台的长度也会变宽，增加更多switch turn on loss : 当然MOS会更热 : : 请问这是必要的损耗吗? : 基本上如果你做Buck开关的Vgs应该会与你控制IC做一隔离 : 所以你要说Layout问题我绝得先不应该去考虑开关与控制讯号的连接上 : 应该是你整个主电路的地回路以及回授跑线的问题(关键在於你说输出电压不稳) 我猜是之前的layout我没注意到EMI影响 Buck电流回路的地有经过IC底下造成的@_@ 请问接地Layout走线如果这样做切割 会不会比较好 ______ | BucK | ------------| 电路 | @输入接地点 |______| | ------------| | |----------- | | __|___ | 控制 | ------------| 电路 | |______| --

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