作者koal (噜啦啦)
看板Electronics
标题[问题] 请问medici有关求CV的指令
时间Tue Jan 6 16:19:58 2009
最近在写medici时，遇到了一些指令上的问题，想来请教一下大家。
目前正在写一个基础的mos元件，在gate和substrate的地方加上电极，
想要求gate和substrate的CV曲线，但是不太清楚指令该怎麽写，
目前是用DQDV的方式去写，不过似乎画不出曲线，
想请问各位平常是怎麽写CV图的指令呢？
完整的程式码如下：
$ ------定义MESH------ $
mesh smooth=1
x.mesh location=0.0 spacing=2
x.mesh location=100 spacing=2 summary
y.mesh location=0.0 spacing=0.1
y.mesh location=19.9 spacing=0.1 summary
$ ------定义REGION------ $
comment Specify oxide and silicon regions
region polysilicon y.min=0 y.max=9.8 x.min=0.0 x.max=100
region oxide y.min=9.8 y.max=9.9
region silicon y.min=9.9 y.max=19.9
$ ------定义电极位置------ $
comment Electrode definition
electr name=gate x.min=0 x.max=100 top
electr name=substrate bottom x.min=0 x.max=100
$ ------定义掺杂浓度和位置------ $
comment Specify doping profiles
profile n-type n.peak=1E20 uniform y.min=0 y.max=9.8
profile p-type n.peak=1E16 uniform y.min=9.9 y.max=19.9
profile n-type n.peak=1E20 uniform y.min=20 y.max=29.8
plot.2d grid bound title="PTSV Mesh" fill
save out.file=structure.tif TIF
$ ------计算电容值------ $
SYMB newton carriers=2
MODELS SRH AUGER FERMIDIR
LOG OUT.FILE=example1.ivl
SOLVE V(gate)=0 ELEC=gate VSTEP=0.01 AC.ANALY FREQUENC=1E6 TERM=gate
+ NSTEPS=100 DQDV
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.114.23.134