作者meinory (无敌铁金刚)
看板Electronics
标题[问题]E-MOSFET跟D-MOSFET的差别在哪?
时间Tue Dec 23 22:29:45 2008
如题
请问差别在哪呢??
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.143.214.75
1F：→ sean456:课本都有写不是吗 增强跟空乏 12/23 22:33
2F：推 onlykals:都以gs两端偏压控制，增强型vgs>vt方有通道 12/24 03:21
3F：→ onlykals:空乏式即使无外加偏压 也会有通道(电流) 12/24 03:22
4F：→ onlykals:这应该是比较主要的差别... 12/24 03:22
5F：推 homebox:EMOS需外加偏压产生通道 12/24 18:15
6F：→ homebox:DMOS自己已经有通道..外加偏压只是控制通道深浅 12/24 18:16