※ 引述《aimax0710 (Don't give up)》之铭言： : The forwad current-voltage characteristics(I-V) of a p-n diode : at 300 k can be represented empirically by an equation. : Write down this equation with ideality factor. For the different : values of ideality factor, dirrerent mechanisms dominate. : Explain the relationship between the value of ideality factor and : the different mechanisms. : 想请问一下 题目的意思是说 写出二极体的关系式 : 然後把不同的值代进去比较? : 然後请问这个 factor 是指 n 吗 ? : 谢谢 我简单的讲一下，依题目而言，在300K时，考虑一P-N接面的单位面积电流: J≒ Exp(qV/ηkT)，其中η为ideality factor，理想因子。 在pn接面中，电流有两种成份，一种是复合电流(recombination current)， 一种是扩散电流(diffusion current) 从下面的I-V图中，可以看出， 在低电流位阶时，η≒2，主要是复合电流 在高电流位阶时，η≒1，主要是扩散电流 如果两者差不多，就 1<η<2 但是在更电流高位阶时，电流就会偏离η≒1，并随电压增加趋缓，这是由於 1.中性区的串联电阻(series resistance) 2.接面的n侧或p侧其少数载子浓度≒多数载子浓度，即所谓的高注入效应 (high injection)。 I ｜ ／ 10-1｜ ／ ｜ ∕ ｜ ∕ η≒1 ｜ ∕ ｜ ╱ ｜ ╱ η≒2 10-9｜╱ ￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣ V -- 对流血一周仍然不死的生物千万不能大意……。 --

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