作者d9368323 (藤木)
看板Electronics
标题[问题] NMOSFET外质参数萃取
时间Sat Oct 4 11:10:08 2008
请问板上各位大大，小弟参阅了一些paper，发现萃取外质串联电阻有许多方法。小弟
身边有的仪器有PNA，bias T，power supply，想要用S参数量测萃取出外质串联电阻。
较旧的paper用cold-FET方式，较新的则使用一般偏压去萃取，可是它需要一些fitting
的方法，而且扫频范围要设定在很宽，到40GHz，可是小弟的bias T只能准确到26.5GHz
，在这样的情况下，请问大大们有什麽方法可以做到萃取外质串联电阻吗? 谢谢。
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