作者paullai (保罗)
看板Electronics
标题Re: [问题] MOSFET 空乏型-N通道 工作原理疑问?
时间Sat Sep 13 13:59:28 2008
※ 引述《t8810039 (其实我想当坏人)》之铭言：
: MOSFET 空乏型 N通道
: 在一本高职参考书上看到这段,
: 看不懂
: 当闸极电压为负时,在通道内感应出正电荷,
: 正电荷会抵消原N通道.
: 注:源极为参考点.
: 在通道内感应出正电荷 这句看不懂.
这个跟半导体物理有关
因为MOS操作在 Inversion regime (强反转区)
导致bandgap (能带) 被弯曲
所以使的Minority (少数载子)会聚集在通道 XD
--
详细的内容可以参考看看Neeman的Semiconductor Physics & Devices.
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 59.115.171.35
1F：→ t8810039:谢谢,不过半导体物理 很难,都是抽像观念. 09/13 17:18
2F：推 KARO7696:多读几遍吧 囧 越读会越有感觉 09/13 19:05
3F：推 profyang:我觉得如果只是要稍微理解的话参考上篇推文就好了吧~ 09/13 22:54
4F：→ profyang:如果你要理解的更深的话当然只好读半导体物理了... 09/13 22:54