: 1.分子元件如何与电极相连(link) : a.锡焊 : b.熔接 : c.形成共价键 : d.以凡得瓦尔力连接 : e.以机械力连接 c与d ...高中化学 : 2.Gb DRAM会用道高介电材料来制作其电容的原因是: : a.现在所用之借电材料绝缘性不佳 : b.电容结构过度复杂必须简化 : c.需要更高之电话储存量 : d.操作电压降低需要之更高之电容值 : e.提高介电层厚度以减小漏电流 a与e，c的话..是"电容"储存量还是"电话"储存量?? : 3.使用BST(钛酸锶钡)来制作DRAM之电容利基在: : a.电容结构简化 : b.绝缘性较佳 : c.容易蚀刻 : d.高温度稳定性 : e.良好之CMOS制程相容性 b,d,e -- 年少时，我们有太多的梦想要去实现，却忘了自己有太少的经验与金钱，以致於 横冲直撞後，身心俱疲，伤痕累累; 中年时，骇然想起生命已流逝大半，即使达到地位与体力的峰顶，但在生活中 仍存在着超出能力以外，而无力追求的事; 晚年时，辛苦一辈子获得点成就与名利，累积了无数的人生经验，却只能在将来 有限的时间里，拼命回忆。 --

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