※ 引述《d813235 (黑仔)》之铭言： : 一般常看到的Wafer很像大都是(100)的晶向，有听老师说过 : 很像(100)的腐蚀高过(111)，但只提到一点点 : 我在想是不是还有其他原因 : 不知道有没有人知道这个资料呢　谢谢 我们先来说说为何BJT要用(111)的做，而MOS要用(100)。 这部份主要是考虑到，在蚀刻与离子布值时对元件特性的问题。 之所以BJT 制造於(111)wafer上，是因为过去使用扩散或离子布值(Ion Implant)的 方式将 Emitter与Base layers垂直的将dopant参入。依此方法若使用(100) wafer时， dopant会经由(100)面中的通道(channel) 加速扩散渗入，使得每层layer的深度不均， (甚至有Emitter和Collector相连的现象)，导致元件通通都死掉。 而(111)wafer从上往下看，晶体结构中没有如(100)的channel，所以扩散或用ion implant的dopant深度均匀且易控制，不过，现在用磊晶(epitaxy)後，可能就不同了。 再者，MOS制作於(100)wafer上是为了让gate oxide 有较好的品质。若使用(111)wafer 由於表面矽的接脚较多支，而氧接上去後，表面或氧化层仍会残留有许多悬键(dangling bonds)，做成元件後，这些地方则成了氧化态(oxide state)或是所谓的表面态(surface state)，载子一经过就被捉住，陷在里面出不白，结果元件特性就变差了。 至於你的蚀刻问题，小弟先不讲，你可以去翻阅一下制程的书，或是搜索关键字 "横向蚀刻" or "纵向蚀刻(vertical etching)"或是"非等向性蚀刻"这类的字， 另外，这也跟蚀刻速率有关。 -- 在台湾，何谓R&D工程师? 1.Reverse and Decap :IC反相工程，去胶，打开封装，拍照，复制电路布局。 2.Resign and Die :没死的就操到辞职，没辞职的就操到死。 3.Rework and Debug :计画永远跟不上变化，变化永远跟不上老板的一句话! 4.Relax and Delay :太过於轻松(Relax)，那麽就会Random Death (随时阵亡) 但是外派到大陆的台弯郎，晚上是R (鸭)陪客户，白天是D (猪)任人宰割! --

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