作者rexluo (Rex)
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标题Re: [问题] SPICE & PSPICE & HSPICE & ISPICE
时间Wed May 21 01:25:58 2008
I partially reply your question, and you can check details in
"Mosfet Modeling with spice", Daniel Foty.
MOBMOD is mobility selection parameter, and the function is to
smooth mobility model when connecting weak and strong inversion.
for example, vgs >> vt, MOBMOD = 1
if vgs << vt, vgs proportional to exp(vgs-vt), and MOBMOD = 3
MOBMOD = 2 between them.
BR,
※ 引述《d813235 (黑仔)》之铭言：
: 我是一个初次碰SPICE软体的人，我想问的是，以上四种有什麽不一样吗
: 因为我目前看的书是SPICE中 BSIM3里面的model..想查一些有关BSIM3里面
: 一些公式的条件和用法。
: 但我想去找一些书，看到有一些书是PSPICE HSPICE ISPICE..等书，我不知道
: 这些书跟我现在看的SPICE有没有相关
: 在我印像中，SPICE不是用来模拟电子电路的吗??但我现在找的资料都是有关
: MOSFET里面的一些物理特性的model，难道SPICE除了模拟电子电路外，还可以
: 模拟半导体的特性吗？
: 可以麻烦知道的大大帮我介绍一些这些软体有什麽不同吗？
: －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
: 另外问一个问题：
: 最近看了SPICE里 BSIM3v3里面的一个 mobility model
: 可以设的参数有MOBMOD=1, MOBMOD=2 ,MOBMOD=3 共三个
: 这三个model都是在讨论垂直电场对有效迁移率的影响，因为垂直电场
: 的关系都会使有效迁移率下降；但即然都是在讨论一样的东西，却有三个
: 参数值可以设，那每个model须在什麽条件下用哪一个model呢？
: 有没有大大知道呢？？谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.48.47
1F：推 d813235:thank you for your reply,i'll look for this book 05/21 12:28
2F：→ d813235:and check details,I think I'll find the answers 05/21 12:30