作者weichingman (改变,要从心开始。。。)
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标题Re: [问题] 半导体掺杂
时间Fri May 2 18:52:44 2008
※ 引述《armoni (聊天打屁看电影)》之铭言:
: 可请问一下各位吗?
: 问题一:
: 为什麽当我们在掺杂同族的元素n-type(或者p-type)的离子긊: 掺杂"越重元素(周期表越下面的)的阻值"会比"较轻的元素(周期表较上面的)"比较高呢?
: 是跟元素的重量有关吗?
: 问题二:
: 如果是跟元素的重量有关? 但在传导过的过程中 不是靠电子在传导吗?
: 为什麽会跟元素(或者说离子)有关呢
: 可否帮我解惑一下呢?
: 谢谢
观念可能要先厘清一下,建议你去翻阅元件物理的书籍
传导的过程中,并不是只靠电子在传导!而要看你是n-type or p-type
而电子或电洞在传导的过程中,最主要受到两个散射机制所影响
晶格散射与杂质散射(还有其他散射,暂不提)
原po提到的问题与杂质散射有关!
这边引用施敏的书籍作解释
"杂质散射为当一个带电载子行经一个游离的掺质杂质(施体或受体)时所引起的。
由於库仑力的交互作用,带电载子的路径会因此受到偏移"
这边就可以知道....元素的重量会影响其库仑力...进而影响载子的迁移率
所以阻值会比较高!
不过大部分都是探讨掺杂载子的浓度与环境温度对迁移率的变化
要更详细的说明,可能就麻烦原po翻书参考 ^^"
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◆ From: 140.120.32.151
1F:推 trueclamp:推一个 补充因为库伦力很大,因此成为主要机制 05/02 20:22