各位好: 我是VCO的新手，已读过Razavi里面14章振荡器与VCO相关章节， 不过还有许多疑问，上来请各位大大指教。 1.有关於phase noise的定义与物理意义?(才疏学浅,爬文还看不懂) 2.通常是什麽造成K_VCO的值不为常数，还有过大或过小的影响为何？ 3.一般我们常看到逆偏的变容二极体(varactor)来控制电容， 　是否是因为当V_cont改变，因为电容值的改变，造成 　f_osc的改变？〔希望能确定我的想法〕 4.我看paper有提到SiGe HBT(异质接面双极电晶体)的特色在於: low 1/f noise and high gain at microwave frequencies. 请问它的机制或是特色所带来的好处？ 5.http://www.badongo.com/file/7556495 这篇提到high linear的作法，利用四对diode和pMOS开关来做， 　当V_ctrl升高时，四对diode会依序打开，致使linearly。 　请问它的操作原理？ 6.http://www.badongo.com/file/7556718 看的懂这篇论文的数学公式，但是却不不懂他结构上的好处， 　简单来说看的懂数学看不懂背後的电机与物理意义。 　烦高手大略翻译一下。 感谢ＶＣＯ的高手看完我的问题， 如果能让自己更上一层楼，用力批没关系。 Orz --

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