作者shimizu (清水)
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标题[请益] 晶圆制程
时间Wed Jan 16 23:45:26 2008
请问
晶圆制程的前段
有一段流程是:
晶圆和光罩对正→微影→蚀刻→氧化→扩散→CVD→离子植入→溅镀(Sputtering)
<--------重复做4～5次--------------->
因为我看的资料和书 有点差异 不知道正确的程序是怎样
我上面的流程哪里有出错吗??
有的书是"扩散"到"离子植入"是重复做
有的资料是从一开始"光罩对正"到"离子植入"重复做
能否请教正确步骤是如何??
还有 请问"矽磊晶成长(epitaxial growth)"就是长"磊晶膜(epitaxial layer)"
是用在哪一步骤??
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.142.155.92
1F：推 NBS:你可能要先了解每一道步骤是什麽功用 01/17 05:26
2F：→ weiqi0811:大多是用在特殊用途(须查一下) 但制成也较一般贵... 01/17 11:55
3F：→ weiqi0811:epitaxial growth 长完就是 epitaxial layer 01/17 12:01
4F：→ weiqi0811:至於前面说得从哪开始重复做要看制成or电路要求没有一定 01/17 12:01