作者solame (一切都讲fu)
站内Electronics
标题Re: [问题] IR2110对IRF460驱动的Loading effect问题
时间Fri Jan 4 14:51:51 2008
※ 引述《charleshu (Analog Engineer)》之铭言：
: ※ 引述《solame (一切都讲fu)》之铭言：
: : 我所量的波形是MOS的VGS，黄色是LO，粉红色是HO
: : 有人做过相关的电路吗？这部分应该是属於电力电子的converter...
: : 谢谢！
: 1.请问你为什麽想改善波形的上升时间呢?
: 除非你在CCM动作,上升时间可能会严重影响效率.若非如此,无论是DCM或
: 在ZVS或ZCS模式下,VGS的上升时间并不是非常重要的问题.
: 早年(10几年前),BJT时代,Tr 与 Tf 只要在转换周期的5%以下,就算是可以
: 接受的.
: 就算是现在,Tr与Tf也只要满足效率上的需求与满足SOA即可,甚至还常常需
: 要限制Tr与Tf.
: 2.你有试着减小那两个22 ohm电阻吗?
: 就如我前文所写的,只要减小它们,Tr就会有大幅的改善,若将它们改为
: 0 ohm,理论上 Tr 就会约略等同於 Tf,也就是说Vgs的上升曲线就会约略
: 等同於现在的下降曲线.
: 你试过了吗?
: 不过我想最重要的还是问题1. 先想清楚战略,再来考虑战术问题. 先想清楚为什麽
: 再来考虑如何做...
1.这颗MOS的型号是IRFP460
2.我有试着将电阻值调小，结果有稍稍的改善，但是也出现了damping现象
谢谢你们的建议，我在调整看看！
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.164.89