※ 引述《solame (一切都讲fu)》之铭言： : ※ 引述《charleshu (Analog Engineer)》之铭言： : : 你量的是电路图上的哪个点呢? IC 的 OUTPUT 吗? 还是MOSFET的VGS呢? 你量的是 : : high side? 还是low side呢? : : 你是怎麽量的呢? 你的probe 有cal好吗? 若是量 high side 的Vgs,你的probe 是 : : differential probe吗? 这些都会有影响这些波形的判读. : : 假如你量的是一个high side switch 和一个 low side switch的Vgs的话,其实从波形上看 : : 来是还好,假如对 Tr不满意的话,略为减小两个22 Ohm的值即可改善. 但上升与下降的越快 : : ,EMI会越差,且对Layout会更敏感.可能会因为spike而误动作或破坏零件. : : 你可能需要提供更详细的资讯,以便别人有机会对你提供更具体的协助. : 我所量的波形是MOS的VGS，黄色是LO，粉红色是HO : 有人做过相关的电路吗？这部分应该是属於电力电子的converter... : 谢谢！ 1.请问你为什麽想改善波形的上升时间呢? 除非你在CCM动作,上升时间可能会严重影响效率.若非如此,无论是DCM或 在ZVS或ZCS模式下,VGS的上升时间并不是非常重要的问题. 早年(10几年前),BJT时代,Tr 与 Tf 只要在转换周期的5%以下,就算是可以 接受的. 就算是现在,Tr与Tf也只要满足效率上的需求与满足SOA即可,甚至还常常需 要限制Tr与Tf. 2.你有试着减小那两个22 ohm电阻吗? 就如我前文所写的,只要减小它们,Tr就会有大幅的改善,若将它们改为 0 ohm,理论上 Tr 就会约略等同於 Tf,也就是说Vgs的上升曲线就会约略 等同於现在的下降曲线. 你试过了吗? 不过我想最重要的还是问题1. 先想清楚战略,再来考虑战术问题. 先想清楚为什麽 再来考虑如何做... --

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