作者yourhusband (闷)
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标题Re: [问题] 关於电压突波
时间Fri Nov 16 18:46:18 2007
※ 引述《a93620037 (阿海)》之铭言：
: 为什麽缓振电路中的电压突波会很大(VDS量测到200V)(输入电压60V,MOSFET使用IRF640,
: 漏电感1nH)请问是IRF640内的寄生电容造成的还是漏电感造成的.
我只能说 都有 甚至Layout的线电感跟电容都会有影响
但是确定的是 漏感一定是越小越好 V=Ldi/dt可以想像
: 再请问一下
: 缓振电路的RCD要怎麽匹配...常听别人说要一直TRY
事实上真的是如此 底下有理论的公式
而实际上因为MOS有寄生电容 版子也有杂散电容线感
绕制的变压器也会有漏电感
所以实际上需要Try and error
: 但请问要如何判断电容是要加大或者减小呢?
C = (Ip/2)*tf
---------
VDS
R = Ton(min)
--------
3C
P(R) = 0.5C*(VDS)^2
--------------
T
Ip为开关关闭时候的峰值电流 tf为电流下降时间 通常是几十到几百个ns
VDS为开关上跨压
Ton(min)为DUTY最小值*周期，也就是开关开启最短时间
P(R)为电阻需要选用的瓦数
公式原理很简单 C*dv/dt=i P=0.5C*V^2 3RC=Ton<-经验值
如果RCD snubber加上去SPIKE消除不掉 增加电容值 减少电阻值
但要小心这样做电阻要耐的瓦数必须增高
--
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◆ From: 140.118.16.133
※ 编辑: yourhusband 来自: 210.203.54.46 (11/16 19:25)
1F：推 a93620037:snubber会减少切换损吗?还是只有消spike? 11/16 23:28
2F：推 mardliu:应该只消spike吧 11/17 00:19
3F：推 yourhusband:snubber只会将切换损转移到电阻上 11/17 09:07
4F：→ yourhusband:不会增加效率 11/17 09:08
5F：→ yourhusband:甚至..因为增加Diode..损失会更大一些 11/17 09:08
6F：→ yourhusband:主要是看取舍 可以降低开关应力的需求 效率些微降低 11/17 09:09
7F：推 a93620037:谢谢指教，又学到了很多东西^^ 11/18 14:34
8F：推 nitsuki:snubber也可以出做无损snubber，以及能量回生型 11/05 11:59