※ 引述《BruceBowen12 (just defense)》之铭言： : 请问一下 : 在VOLTAGE REFERENCES使用 运算放大器+电晶体来做 : 运算放大器就使用Folded cascode op : 我的问题是 要如何调整所要的VOLTAGE REFERENCES大小? 传统电压模式,输出电压会在1.25V附近 因为你BJT就会有一个0.7V的电压在 而温度系数大约是-1.5mv/C,要补偿此温度系数 必须设计两个流经不同电流的BJT使其电压差跨在电阻上 产生正温度系数之电流,理论值这边不多说,应该都找的到 补偿後正常都会在1.25V附近,如果不是就应该是电路做错了 而BJT正常都会设计1:8,因为layout还有beta值的问题 如果是电流模式那就是把正负温度系数的电压转换成电流 一般如果要设计输出电压在1.2V以下都会用此种架构 : 还有就是如何在标准 CMOS制程中实现BJT? 用寄生的BJT,应该知道latch up吧?就类似那种方式产生的 : 另外想再问一下 : HSPICE中 有五种Corner(TT、FF、FS、SS、SF) : 请问这几种有什麽差别呢 : 小声问(ppm是什麽的单位) : 谢谢各位了 其他已经有人回文,不多说了 --

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