※ 引述《pow (体脂肪35%)》之铭言： : ※ 引述《BruceBowen12 (just defense)》之铭言： : : 请问一下 : : 在VOLTAGE REFERENCES使用 运算放大器+电晶体来做 : : 运算放大器就使用Folded cascode op : : 我的问题是 要如何调整所要的VOLTAGE REFERENCES大小? : 对不起喔 我只知道概念.... : 概念是 : 想办法生出一个固定的电流 : 这个电流最好不要随着温度、制成而改变 : 然後再用那个电流来产生一个电压 : 然後再用那个电压来产生电流 : 然後再用电流来产生电压 : 中间转换的过程 : 也要尽量免於电晶体特性的「不确定性」的影响 通常只要可以产生一个电压即可 你可以用任何形式去形成一个电压 最重要是取此电压对温度微分 dV/dT 然後令 dV/dT=0 此点就是最佳参考电压点 至於如何调整参考电压大小 就要看你设计架构而定 : : 还有就是如何在标准 CMOS制程中实现BJT? : 概念是 : 使用CMOS制成中doping的步骤 : 自行定义doping的区域 : 例如定义出P-substrate里面有N-well跟P+ : 这样就有PNP了 现在很多 Reference Voltage Gererator 可以完全用MOS组成 : : 另外想再问一下 : : HSPICE中 有五种Corner(TT、FF、FS、SS、SF) : : 请问这几种有什麽差别呢 : T是Typical : F是Fast : S是Slow : 分别指NFET-typical/PFET-typical : NFET-fast/PFET-fast...等等 : 有快慢就是众多制成的变因之一 通常Slow MOS是指在: 0.9VDD Tmax Fast MOS是指在: 1.1VDD Tmin : : 小声问(ppm是什麽的单位) : parts per million 类似%的用途 在温度系数中 [假设温度范围-40~85度] Temperature Coefficient (TC) [温度范围内最大电压值-温度范围内最小电压值]*10^6 TC= ------------------------------------------- [85-(-40)]* 常温电压值 单位是: ppm= 电压/温度 希望可以跟你分享一下 如果说错 欢迎大家指教 :) : : 谢谢各位了 -- --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 140.116.187.206