※ 引述《BruceBowen12 (just defense)》之铭言： : 请问一下 : 在VOLTAGE REFERENCES使用 运算放大器+电晶体来做 : 运算放大器就使用Folded cascode op : 我的问题是 要如何调整所要的VOLTAGE REFERENCES大小? 对不起喔 我只知道概念.... 概念是 想办法生出一个固定的电流 这个电流最好不要随着温度、制成而改变 然後再用那个电流来产生一个电压 然後再用那个电压来产生电流 然後再用电流来产生电压 中间转换的过程 也要尽量免於电晶体特性的「不确定性」的影响 : 还有就是如何在标准 CMOS制程中实现BJT? 概念是 使用CMOS制成中doping的步骤 自行定义doping的区域 例如定义出P-substrate里面有N-well跟P+ 这样就有PNP了 : 另外想再问一下 : HSPICE中 有五种Corner(TT、FF、FS、SS、SF) : 请问这几种有什麽差别呢 T是Typical F是Fast S是Slow 分别指NFET-typical/PFET-typical NFET-fast/PFET-fast...等等 有快慢就是众多制成的变因之一 : 小声问(ppm是什麽的单位) parts per million 类似%的用途 : 谢谢各位了 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 68.221.118.196