作者tutowuu (只有努力)
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标题[问题] 电晶体MOS烧坏
时间Tue Oct 2 11:15:30 2007
请问各位
如果说电晶体(MOS)因为瞬间电流过大
导致电晶体烧坏
1.请问是哪里烧坏? 端点 制程里面layer.....
2.还有还有哪些原因导致烧坏
谢谢大家
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.116.187.206
1F：→ cpt:最容易烧坏的地方是 metal 1 绕线以及 via/contact 10/03 08:48
2F：→ cpt:如果是MOS烧坏, 有可能是Vgs过高(oxide breakdown) 10/03 08:50
3F：→ cpt:或Vds过高 (Avalanche breakdown) 10/03 08:51