※ 引述《niceguy (niceguy)》之铭言： : 大家好!!! : 小弟有些关於layout时P-well与N-well的问题想跟大家请教一下 : 虽然之前有问过了 但还是希望能让自己观念的清楚一些!! : ==================================================== : LATI. 2 {@ N-well PICK-UP to PMOS max space < 20um : PASD NOT NPKUP : } : LATI. 3 {@ P-well PICK-UP to NMOS max space < 20um : NASD NOT PPKUP : } : ==================================================== : 第一个的意思是是要在N-well内要将Vdd打至OD(Diffusion)并用"NIMP"包起来 : 且要跟PIMP包起来的PMOS距离小於20um 是这个意思吗？ 根据强者我学长那天教我的大意是 一个NMOS的body要接地(TSMC35制程预设的sub应该是p-type) 而那个接地点跟离NMOS的距离不能超过20um "接地点"就如同你所说的,由於基板是p-type要连到metal线,进而由metal接到PAD 基板与metal的交点,为了欧姆接触所以需要较重的参杂,因此在P-sub上 依然要画DIFF然後围PIMP表示这是P的重参杂打上cont就可以接到metal了 反之在N-well里的PMOS也是同样的意思,需要N重参杂(NIMP&DIFF) 来做一个跟metal的交点 : 第二个的意思是只要在P-well内要将Gnd打至OD(Diffusion)并用"PIMP"包起来 : 且鳔跟NIMP包起来的NMOS距离小於20um 是这个意思吗？ : 另外 还有个问题... N-well我清楚它的范围 但是P-well是指??? ^^^^^^ 除非是twin-well制程,不然这里的P-well应该是指预设的P基板 : 还有NIMP跟PIMP到底是指什麽啊@@? 根据以前强者我同学的叙述 应该是指这一个DIFF是n-type或者是p-type : 我只知PMOS跟Gnd要用PIMP NMOS跟Vdd要用NIMP 然而为什麽要这样用呢? : 应该有物理意义吧? 应该是为了欧姆接触(ohm contact) http://tw.knowledge.yahoo.com/question/?qid=1306022007469 : 不好意思 因为我是自学 所以上来请教各位前辈 : 希望为小弟解惑 谢谢!!! 我也是正在学习中的菜鸟,以後可以多讨论 XD 另外台北大学黄弘一老师开的Mixed-single Layout的短期课程有机会可以去听听看 听说他是Layout魔人..... --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 140.123.110.226 ※ 编辑: Edog 来自: 140.123.110.226 (10/02 01:29)