※ 引述《deathcustom (DSM......)》之铭言： : ※ 引述《ppjay (蓝天白云~~)》之铭言： : : Technology Process Data里的u0是不是就是NMOS或PMOS的un or up呢? : 基本上，是 : 不过以CIC TSMC .35um, .18um, .13um, 90nm 制程为例 : 他是用piece-wise linear definition : 也就是，实际上的原件特性会随原件的大小、电压而变化 : 他把这些变化切成一段一段 pch.1~pch.11, nch.1~nch.11 : 每一小段都是同线性方程 : 所以实际上的特性还是最好你自己挑一个基本元件 : 比如说统一用 0.5u/0.5u当作一个MOS : 然後用multiple : 6u/0.5u => 0.5u/0.5u m=12 : 这样的写法 : 这样你要作的就是去量过 0.5u/0.5u元件的I-V : 还有Vth - Vsb曲线 : 这样就可以去作设计了:) 另外，以系出同门的 umc/smic technology 他们是用方程式定义法 也就是呢 W, L, Vgs, Vds, Vsb分别为函数 Id(W,L,Vgs,Vds,Vsb) ...... 这样的制程缺点就是 Vds, Vsb, Vgs变化对电流的影响，SPICE MODEL不够准确 W/L对Vth的变化...... （UMC输TSMC就在这） 当然啦，要作的方法还是老样子 用固定的WL值来作设计仍然是方便的， 不过要用怎样的WL值呢 可以问问做过设计的学长大多用怎样的值，或者怎样的值MODEL比较准 -- ╭ █◣◢█ ╮ ╭ ███◣╮ ╭═══╮ ╭═════╮ ╭═════╮ ║ ████ ╰══╯ █ ◥█╰══╯◢ ☆ ╰═╯ ◢▌ ◢╰══╯ ║ ║ ████ ◢◢◣ █◣ █ ◢█◣ █ ◢ ◢█◣ ██◣ █ ◢█◣ ╴ ║ ˙ █◥◤█ █◤ ███◤ █◢◤ █ █ █◢█ █▌█ █ █◢◤☆ ￣ρ▄ ║ ║ ◥ ◤ █ ● █◥█◣ ◥█◤ █ ◤ ◥◤◥ ◥█◤ █ ◥█◤ ╰〈╭▄﹀║ ╰New York Yankees═ ◤ ════ #40 ◤ Chien-Ming Wang═◤═══ψTheAnswer3╯ --

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