作者elf326 (小小)
看板Electronics
标题[问题] 关於CMOS电晶体的临界电压
时间Mon Sep 3 16:57:24 2007
最近使用到台积电的0.18um制程,看技术文件时发现,通道宽度(w)为1.6um时比通道宽度
为2.2um时的临界电压(vt)来的低
电晶体不是有窄通道效应吗?较窄的通道宽度其临界电压不是会相对的比较高...
还是我观念搞混了?! 麻烦各位大大了 谢谢 ^^"
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◆ From: 218.170.118.61
1F：推 weichingman:你说的那个效应..应该是只第三维度所引起的... 09/12 22:29
2F：→ weichingman:也就是元件的深度(长、宽、深) 09/12 22:29