※ 引述《coldleaf (姊姊饿很久了!)》之铭言： : ※ 引述《twomix46 (欧洲)》之铭言： : : 不是，要确保切换时跨於MOS时的电压接近零(ZVS)，或切换时流过MOS的电流 : : 接近零(ZCS)，至於dead-time的决定和元件有关系，最佳的dead-time，个人 : : 是利用示波器try and error决定的，因为必须考虑元件的误差 : : 目前的电路有半桥(2颗功率晶体)和全桥谐振(4颗)，相较於单晶(1颗)，需要 : : 多1~3颗功率晶体，另外还有隔离变压器，去推HIGH SIDE 的MOS，至於周边的 : : 控制电路部分，现在的IC都已经包进去了，现在的类比IC还是欧美商可靠度高 : 感谢twomix46版友热心回答! 仍有一些问题想问, 因此回文保留想继续 : 深入讨论的部分, 其余已经没有问题的部分恕删. : 因为本身的background是IC design, 因此如果从IC design的的观点来看, : 想继续请教的是, "确保切换时跨於MOS上的电压接近零"这个目标, : 对我们设计PWM controller来说, 感觉起来似乎不易达到? : 文中所提到的利用示波器try and error决定的话, 感觉起来似乎是指discrete元件 : 或者是实验阶段, : 个人比较好奇的是, 如果是IC实现的话, ZVS切换condition有办法被保证吗? : 会觉得不容易的原因是: : 为了要知道MOS的状态, 因此需要侦测MOS跨压. 如果是高压元件, 为了侦测 : MOS跨压, 又要许多额外的电路. 例如说K.T.Mok在JSSC上所发表的文章, 内含 : 的current sensor电路. 即使此电路可行, 但是侦测到MOS状态到使MOS gate driver : 及时做出反应也是另一大挑战.. : 所以想请教的是ZVS切换是否有机会在IC上实现? 或者真的只能用try and error? : 谢谢. 你打算做哪一方面的converter 的PWM controller IC，目前我用过和知道的关於 零切换 PWM IC，没有特地多用一个PIN去侦测converter 上MOS的状态，应该说决 定有无零切换，是由converter所决定的，IC比较像辅助，而dead time的决定，你 之前有问到，是否越长就是ZVS；当dead time 越长时，另一个将被导通的MOS上 的跨压因为放电的关系而使跨压为零；另一方面dead time 可以确保high side和 low side的MOS不会同时导通，如此看来dead time越长越好，但是过长的dead time 会造成可用duty 变小，会造成Output Voltage Regulation变差，及电流流经MOS 的bady diode，使效率变差，以上所讲的为定频的PWM。 若是变频的PWM，又不太一样。 这是你的论文题目吗?你可以去参考TI的IC spec，方块图看一看比较有帮助啦，目 前市面上，就算是外商大厂，也都是抄TI的，至於能不能用，就看有没有电源厂， 愿意当白老鼠，不过你应该除了开发IC外，还要再做converter这一部份，加上现 在的POWER的规范够变态，例如：PC POWER在市电100VAC，效率要求为85%， 功因0.9以上，只能说若是真是你的论文，校内的资源一定远远不够。就酱子啦!!! 推文中有人问到单晶(一颗MOS)是否可以达成ZVS，答案是可以的， 不过 Vdsmax=Vinmax(1+(Iomax/Iomin)) 也就是说当Vin=18~26Vdc,Vo=5Vdc;Io=2.5~10Adc Vdsmax=130V --

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