※ 引述《jingwoei (jw)》之铭言： : ※ 引述《kb76628 (小伊)》之铭言： : : 电路图： : : http://0rz.tw/292XW : : 我是用0.18 process，想请问版上大大 : : Q1:如果要让gain变大，哪几颗MOS的W/L值要大?(除了M1和M2外) : gain变大，可以将gm变大，或是将ro变大 : 若想将gm变大，inupt mos、M7、M8的W/L可以提高 : 若想将ro变大，pole位置上的mos的L可以增加。 这是two stage的架构 如果把第一级gm变大(同时电流不变 维持ro)的话 Unity Gain Bandwidth也会上升 但同时造成Phase Margin的下降 因此比较建议的作法是用调整ro的方式去增加gain(加大第一级或第二级的L， 同时维持相同W/L) 即用Area换取Gain 另外 不调第二级gm的原因是因为此gm值与第二级消耗电流及第一级输出common mode有关 : : Q2:我NMOS是用0.44um/0.18um,PMOS W值是否要是NMOS的三倍? : 要看是哪里的MOS，不是所有PMOS和NOS都这样的比例。 : 像图中输出级Ｗ/Ｌ就要约p:n=3:1这样。 这你可以用square law或是其它方法算(ex: gm/Id) 要先设定好输出common mode以及所有bias偏压条件等等 再将条件代入公式做size的推算 : : Q3:如果我的vdd是1.8V,那Vout有可能超过1.8V吗?不是有能量守恒吗? : 不可能，会saturation --

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