作者turco (转吧SILVACO)
看板Electronics
标题Re: [问题] 使用medici模拟NMOS的问题
时间Sun May 20 19:34:54 2007
Channel length为1μm属於长通道了，Vd=1.5V应该不会有DIBL
你可以把你的model跟抽Vth的方式PO上来大家一起讨论看看噜
※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之铭言：
: ※ 引述《koal (噜啦啦)》之铭言：
: : 各位版友好，
: : 我在使用medici模拟NMOS的时候，
: : 在不同的Vd下，计算出来的Vth也不同，
: : 请问有没有人知道原因呢？
: : 通道长度：1μm
: : 接面厚度(junction):0.34μm
: : Na：3E16
: : 氧化层厚度：0.025μm
: : 问题：Vd=0.5 Vth=0.4
: : Vd=1.5 Vth=1
: : 谢谢大家
: 很开心找到个也是用TCAD进行模拟的同伴
: 如果有问题 不妨可以交流交流^^
: 废话不多说 刚刚某版友已提出最主要的关键解答DIBL效应
: 不才在下为了多赚点P币 就详细的说明一下
: 如有不明白或不正确的地方 烦请各版友提点 <(_ _)>
: MOSFET元件的闸极电压小於临限电压时，基板在源极与汲极之间会形成一位能障，
: 以限制电子由源极流向汲极。在长通道元件中，汲极接面处的空乏层宽度并不会
: 影响位能障高度(barrir height)；然而，当短通道MOSFET的汲极电压增加时，因
: 为空乏层与位能障高度过度接近，使得源极和通道之间的能障下降。
: 在源极与通道间的表面能障会有个下降量，
: 这就是所谓的汲极引发能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。
: 如此一来，则会有过量的载子电荷注入通道中，引起次临限电流的增加，
: 而造成在短通道元件中，临限电压会随着汲极电压的升高而下降。
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