首先，感谢各位版友详细的回答：） 不过目前奇怪的地方是 DIBL的效应是Vd↑，Vth↓ 但目前模拟出来的结果则是Vd↑，Vth↑ 我不知道有什麽机制会产生这样的结果。 我猜会不会是medici本身，因为EXTRACT指令使用线性逼近算Vth而导致的错误 不过因为不太了解程式的量测方式，所以也没办法做确定， 现在是想试试看其他方法像gm max或经验法则去算出Vth。 真的很谢谢大家热心回答，如果有其他想法也请不吝提供出来：） ※ 引述《Sai000 (╮(-_-)╭)》之铭言： : ※ 引述《koal (噜啦啦)》之铭言： : : 各位版友好， : : 我在使用medici模拟NMOS的时候， : : 在不同的Vd下，计算出来的Vth也不同， : : 请问有没有人知道原因呢？ : : 通道长度：1μm : : 接面厚度(junction):0.34μm : : Na：3E16 : : 氧化层厚度：0.025μm : : 问题：Vd=0.5 Vth=0.4 : : Vd=1.5 Vth=1 : : 谢谢大家 : 很开心找到个也是用TCAD进行模拟的同伴 : 如果有问题 不妨可以交流交流^^ : 废话不多说 刚刚某版友已提出最主要的关键解答DIBL效应 : 不才在下为了多赚点P币 就详细的说明一下 : 如有不明白或不正确的地方 烦请各版友提点 <(_ _)> : MOSFET元件的闸极电压小於临限电压时，基板在源极与汲极之间会形成一位能障， : 以限制电子由源极流向汲极。在长通道元件中，汲极接面处的空乏层宽度并不会 : 影响位能障高度(barrir height)；然而，当短通道MOSFET的汲极电压增加时，因 : 为空乏层与位能障高度过度接近，使得源极和通道之间的能障下降。 : 在源极与通道间的表面能障会有个下降量， : 这就是所谓的汲极引发能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。 : 如此一来，则会有过量的载子电荷注入通道中，引起次临限电流的增加， : 而造成在短通道元件中，临限电压会随着汲极电压的升高而下降。 --

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