※ 引述《koal (噜啦啦)》之铭言： : 各位版友好， : 我在使用medici模拟NMOS的时候， : 在不同的Vd下，计算出来的Vth也不同， : 请问有没有人知道原因呢？ : 通道长度：1μm : 接面厚度(junction):0.34μm : Na：3E16 : 氧化层厚度：0.025μm : 问题：Vd=0.5 Vth=0.4 : Vd=1.5 Vth=1 : 谢谢大家 很开心找到个也是用TCAD进行模拟的同伴 如果有问题 不妨可以交流交流^^ 废话不多说 刚刚某版友已提出最主要的关键解答DIBL效应 不才在下为了多赚点P币 就详细的说明一下 如有不明白或不正确的地方 烦请各版友提点 <(_ _)> MOSFET元件的闸极电压小於临限电压时，基板在源极与汲极之间会形成一位能障， 以限制电子由源极流向汲极。在长通道元件中，汲极接面处的空乏层宽度并不会 影响位能障高度(barrir height)；然而，当短通道MOSFET的汲极电压增加时，因 为空乏层与位能障高度过度接近，使得源极和通道之间的能障下降。 在源极与通道间的表面能障会有个下降量， 这就是所谓的汲极引发能障衰退(Drain Induced Barrier Lowering DIBL)。 如此一来，则会有过量的载子电荷注入通道中，引起次临限电流的增加， 而造成在短通道元件中，临限电压会随着汲极电压的升高而下降。 --

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