作者chenchenkuo (关键的这一年)
看板Electronics
标题Re: [请益] 如何使用蒙地卡罗量测MOS的VT值?
时间Mon May 14 01:10:59 2007
※ 引述《SOCJAE (哈哈哈)》之铭言：
: 小弟想让单颗nmos的vt值产生变化，
: 然後观看nmos的输出电压变化，
: 看了HSPICE的范例，
: 但还是不太知道该如何写，
: 小弟我是直接吃.35的model，
: 个人是打成下列的样式，可惜是没办法跑的，
: 想请问板上大大帮各忙，
: 请问要如何写? 谢谢
: .param vt0=0.6
: .............
: .............
: .............
: .alter
: .param vt0=0.7
: .alter
: .param vt0=0.8
: .print v(out)
: .end
如果你是要跑Monte Carlo simulation
一般来说,你需要个random generator来随机产生变动量
hspice就我所知可以给Gaussian跟Uniform
你用.alter也不是说不可以
只是若要跑100次MC analysis变成要自己打100次 or 用小程式产生netlist
不过不用这麽麻烦
你把random generator写好,定义好mean, standard deviation, 最大正负几个sigma
然後跑.tran时後面加个sweep
并且定义你要跑的MC次数即可
至於你要做的考虑Vt variation
如果你是照你文章这样写,我想应该是不行的
因为你要看看你device model里面,Vt0的名字叫什麽
要取的一模一样才行喔
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◆ From: 59.105.177.115
1F：推 SOCJAE:感恩，感谢~~先试试看罗! 05/14 13:22
2F：推 chenchenkuo:如果只是要用sweep Vt值,其实不用run MC sim. 吧^^" 05/14 17:31
3F：推 SOCJAE:还是没用出来，vto是吃台积model，直接定义好像也没办法... 05/16 20:11