※ 引述《aimax0710 (aimax)》之铭言： : Q1以下解释并说明其机制: : (a)exciton and phonon replica : (b)homostructure and heterostructure : (c)strain : sol: : (a) 我有去查 exciton 是激子 : phonon replica 是声子 : 但是不太了解其机制?? : (b) homostructure 同质结构 --> 两个相同的材料?? : heterostructure 异质结构 --> 两个相同材料和ㄧ个异质的材料 是指同质接面和异质接面吗？ 同质接面就是两个相同的材料接在一起（能隙一样大） 如Silicon的PN接面 异质接面就是两个能隙不一样大的材料接在一起 在接面处的能带图会有一个像是小尖角的东西产生 那里会累积电荷 : (c) strain 是指晶格之间的应力?? 在Si上面直接沈积Si3N4的话 由於Si和Si3N4的结构不同 硬要接起来会产生很大的应力造成Si弯曲或是有trap的产生 为了缓冲应力 会在Si和Si3N4之间加入一层SiO2来做缓冲 不知道你是不是想问这个 : -------------------------------------------------------------------- : Q2 (a)如何量测 bandgap? : (b)在大气中之两个主要window(窗口)为何? 又有何应用? : sol: : (a) 请问是利用外加激力吗? : (b) ....是跟频率有关和通讯系统上的吗?? : -------------------------------------------------------------------- : Q3 (a)为何在不同方向上会有不同的有效质量? : (b)为何在半导体中电子的有效质量会小於真空中的电子质量? : sol: : (a) 因为力的方向不同??? : 因为晶格是三维立体的空间结构 每一个Si原子本身都会对在此空间中移动的电荷有库伦力的作用 因此载子在往不同的方向移动时 会受到不同大小的库伦力影响 而这个力量造成的速度变化为了方便起见 就把它定义成一个等效质量 因此当然会有不同 (b) 这个我就不知道了..... 基本上我想这个应该是要由材料的不同和方向的不同来藉由量测决定 其他问题请由较熟悉的高手来回答 以上若有错请指正 : -------------------------------------------------------------------- : 烦请固态达人帮忙 : 我发现有些是不是量子力学的呀?? : 因为有些我在半导体中找不到答案 : 恳请会的人告知....解惑 : 非常感激不尽!! : 谢谢 ^^ --

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