作者Maddulin (what else do u focus?)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於CMOS的漏电流
时间Sun Apr 1 17:01:56 2007
※ 引述《janjun (♀郡☆展♂)》之铭言：
: 从开学meeting到现在 每次报告中
: 每篇paper 都有提到漏电流的问题
: 而且他们还有数据可以提出来做比较
: 我想知道是利用哪修软体可以看出这些漏电流的数值
: 我再想是不是不是利用HSPICE 可否跑的出模拟的数值
: 不知道板上有没有做这类的神人
你应该不是指cell-based flow
不过我鸡婆提一下 cell-based flow 如何得知
在SYNOPSYS logic library (.lib), 每个cell,
在一个simulation sample duration (e.g., 1ns)
有都有它的leakage power information
所以合成的逻辑 可以快速经由primepower等 gate-level analysis工具
估计出 leakage power,而且非常精确, 再把leakage power/VDD
就得到平均的leakage current
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.141.234.237
1F：推 janjun:我是想问可不可以利用hspice 就可得知漏电流 还是需要别套댠 04/01 19:18
2F：→ janjun:软体才能得知漏电流的数值 最近看的paper 比漏电流比的很凶 04/01 19:18
3F：→ acelp:那是因为90nm以下 漏电流的问题越来越显着了... 04/01 21:23