作者htbroken (htbroken)
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标题[问题] 请问 tsmc .18制程
时间Fri Mar 30 22:51:41 2007
请问一下 .18 制程 中
mos 有分 1.8v 和 3.3v ~
那们这之间的差异在於 ??
是否我也可以将 .18制程 操作於 1v , 坏处在於 ?
(因为我的确有看过 .18 使用 vdd=1v的 paper)
除此之外
电阻 ,电容制程上的 "绝对误差" 为多少呢 ?
以上疑问 , 谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.148.249
1F：推 ilovecatch:mos分1.8v和3.3v应该是最大耐压不同 .18可操作在1v 03/30 23:58
2F：推 sexyman:低电压者用於内部电路省电，高电压者用於I/O趋动外部电路 03/31 00:24
3F：→ sexyman:绝对误差，15% 都算正常，所以最好是用相对误差的设计 03/31 00:25
4F：→ sexyman:相对误差是有文件的，但是 TSMC 没有开放给学术界使用 03/31 00:26